Micron e Intel Revelan Nueva Memoria Flash 3D NAND
Micron Technology, Inc. (Nasdaq: MU) e Intel Corporation han lanzado la nueva tecnología 3D NAND, la memoria flash de mayor densidad del mundo. Flash es la tecnología de almacenamiento presente en de los laptops más ligeros, en los centros de datos más rápidos y en casi todos los celulares, tabletas y dispositivos móviles.
Esta nueva tecnología 3D NAND, que fue desarrollada en conjunto por Intel y Micron, apila capas de celdas de almacenamiento de datos de forma vertical, para crear dispositivos de almacenamiento con una capacidad tres veces mayor que la de las tecnologías NAND de la competencia. Esto proporciona mayor almacenamiento en un espacio más reducido, lo que genera una significativa disminución de costos, bajo uso energético y alto desempeño para una amplia gama de dispositivos móviles de consumo, así como para las más exigentes herramientas empresariales.
La memoria flash NAND planar se está acercando a sus límites prácticos de expansión, lo que constituye un gran desafío para el sector de memorias. La tecnología 3D NAND tiene la capacidad de generar un impacto significativo al mantener las soluciones de almacenamiento flash alineadas con la Ley de Moore, es decir, el camino seguido para obtener mayor desempeño y menores costos de forma continua, y así lograr un uso más generalizado del almacenamiento flash.
La colaboración de Intel y Micron ha creado una tecnología de almacenamiento en estado sólido líder en sector, que ofrece densidad, rendimiento y eficiencia de altísimo nivel que ninguna otra memoria flash proporciona hoy en día”,
declaró Brian Shirley, vicepresidente del área de tecnología y soluciones de memoria de Micron Technology.
“Esta tecnología 3D NAND tiene el potencial de generar cambios sustanciales en el mercado. La profundidad
